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Si1471DH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
0.5
I D = 2.0 A
0.4
1
0.3
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.2
125 °C
0.1
25 °C
0.01
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
24
1 8
12
6
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
1
0.1
0.01
Limited b y
R DS(on) *
T C = 25 °C
Single P u lse
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0 . 0 1
0.1
1
1 0
1 0 0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74468
S10-0646-Rev. C, 22-Mar-10
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